परिचय एल्यूमीनियम नाइट्राइड की तापीय चालकता

एल्यूमीनियम नाइट्राइड (ALN) में उच्च शक्ति, उच्च मात्रा प्रतिरोधकता, उच्च इन्सुलेशन वोल्टेज, थर्मल विस्तार के गुणांक, और सिलिकॉन के साथ अच्छा मिलान, आदि की विशेषताएं हैं, न केवल तकनीकी सेरेमिक्स के लिए एक सिंटरिंग सहायता या पुनर्निवेश चरण के रूप में, विशेष रूप से सिरेमिक सब्सट्रेट, सिरेमिक शीट और पैकेजिंग सामग्री के क्षेत्र में जो हाल के वर्षों में आग लगा रहे हैं, और इसका प्रदर्शन एल्यूमिना से अधिक है।

एल्यूमीनियम नाइट्राइड के महत्वपूर्ण गुणों में, सबसे महत्वपूर्ण HIG तापीय चालकता है। एल्यूमीनियम नाइट्राइड के थर्मल चालकता तंत्र के बारे में, घर और विदेशों में बहुत सारे शोध किए गए हैं, और एक अपेक्षाकृत पूर्ण सैद्धांतिक प्रणाली का गठन किया गया है। मुख्य तंत्र है: जाली के माध्यम से कंपन, अर्थात्, जाली तरंगों या गर्मी तरंगों की मदद से गर्मी का हस्तांतरण। क्वांटम यांत्रिकी के परिणाम हमें बताते हैं कि जाली तरंगों को एक कण, एक फोनन की गति के रूप में संसाधित किया जा सकता है। हीट वेव्स में वेव-कण द्वंद्व भी होते हैं। हीट-ले जाने वाले फोनन संरचनात्मक कट्टरपंथी (परमाणुओं, आयनों, या अणुओं) के बीच पारस्परिक रूप से प्रतिबंधात्मक और समन्वित कंपन के माध्यम से गर्मी को प्रसारित करते हैं। यदि क्रिस्टल एक पूरी तरह से आदर्श संरचना के साथ एक inelastomer है, तो गर्मी को किसी भी हस्तक्षेप और बिखरने के बिना क्रिस्टल के गर्म छोर द्वारा ठंड जंक्शन पर स्वतंत्र रूप से प्रेषित किया जा सकता है, और थर्मल चालकता बहुत अधिक मूल्य तक पहुंच सकती है। इसकी थर्मल चालकता मुख्य रूप से क्रिस्टल दोषों और फोनन द्वारा स्वयं फोनन द्वारा बिखरने से नियंत्रित होती है।

सैद्धांतिक रूप से, ALN की थर्मल चालकता 320W · M-1 · K-1 तक पहुंच सकती है, लेकिन ALN में अशुद्धियों और दोषों के कारण, एल्यूमीनियम नाइट्राइड सिरेमिक सब्सट्रेट की थर्मल चालकता 200W · M-1 · K-1 से कम है। यह मुख्य रूप से इस तथ्य के कारण है कि क्रिस्टल के भीतर संरचनात्मक आदिम एक पूरी तरह से सख्त समान वितरण नहीं कर सकते हैं, और हमेशा विरल और घने अलग-अलग क्षेत्र होते हैं, इसलिए वर्तमान-ले जाने वाले फोनन हमेशा प्रसार के दौरान परेशान और बिखरे रहेंगे।